SI1480DH-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 2.6 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 2.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 200 мОм |
| Мощность макс.: | 2.8Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 5нКл |
| Входная емкость: | 130пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-363 |
| Наименование: | SI1480DH-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI1480DH-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 2.6 А - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 200 мОм Мощность макс.: 2.8Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.