FDD850N10L, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15А 50Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 15.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 75 мОм |
| Мощность макс.: | 50Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 28.9нКл |
| Входная емкость: | 1465пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Вес брутто: | 0.66 г. |
| Наименование: | FDD850N10L |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, N-channel, 100 V, 15 A, 50 W |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
FDD850N10L, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15А 50Вт - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 15.7A Сопротивление открытого канала: 75 мОм Мощность макс.: 50Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.