DMN3730UFB4-7, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 750 мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 750мА |
| Сопротивление открытого канала: | 460 мОм |
| Мощность макс.: | 470мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 950mВ |
| Заряд затвора: | 1.6нКл |
| Входная емкость: | 64.3пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | DMN3730UFB4-7 |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 750MA DFN |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
| Корпус: | DFN3 |
Описание
DMN3730UFB4-7, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 750 мА - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Diodes Incorporated. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 750мА Сопротивление открытого канала: 460 мОм Мощность макс.: 470мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.