CSD19536KCS, Транзистор полевой N-канальный 100В
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Texas Instruments |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 150A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.7 мОм |
| Мощность макс.: | 375Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.2В |
| Заряд затвора: | 153нКл |
| Входная емкость: | 12000пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 2.7 г. |
| Наименование: | CSD19536KCS |
| Производитель: | Texas Instruments |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V TO-220 |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
CSD19536KCS, Транзистор полевой N-канальный 100В - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Texas Instruments. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 150A Сопротивление открытого канала: 2.7 мОм Мощность макс.: 375Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.