IPD60R3K3C6ATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 1.7А |
| Тип транзистора: | N-канальный |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | IPD60R3K3C6ATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
IPD60R3K3C6ATMA1, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 1.7А Тип транзистора: N-канальный Тип монтажа: Surface Mount Наименование: IPD60R3K3C6ATMA1 Производитель: Infineon Technologies
Производитель: Infineon Technologies. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.