PSMN2R0-30PL,127, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 100A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.1 мОм |
| Мощность макс.: | 211Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.15В |
| Заряд затвора: | 117нКл |
| Входная емкость: | 6810пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | PSMN2R0-30PL,127 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
Компонент PSMN2R0-30PL,127, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 100 А - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 100A Сопротивление открытого канала: 2.1 мОм Мощность макс.: 211Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: NEXPERIA. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.