SI7190DP-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 250В 18.4A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 250В |
| Ток стока макс.: | 18.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 118 мОм |
| Мощность макс.: | 96Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 72нКл |
| Входная емкость: | 2214пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | PowerPAKВ® SO-8 |
| Наименование: | SI7190DP-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 250V 18.4A PPAK SO-8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
SI7190DP-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 250В 18.4A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 18.4A Сопротивление открытого канала: 118 мОм Мощность макс.: 96Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.