BUK9Y8R7-60E,115, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В LFPAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 86A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 7.5 мОм @ 20А, 10В |
| Мощность макс.: | 147Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.1В @ 1mA |
| Заряд затвора: | 31нКл @ 5В |
| Входная емкость: | 4570пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | LFPAK56 |
| Наименование: | BUK9Y8R7-60E,115 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V LFPAK |
| Нормоупаковка: | 1500 шт. |
Описание
BUK9Y8R7-60E,115, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В LFPAK - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: NEXPERIA. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 86A(Tc) Сопротивление открытого канала: 7.5 мОм @ 20А, 10В Мощность макс.: 147Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.