BTS282ZE3180AATMA2, Транзистор полевой N-канальный 49В 80A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 49В |
| Ток стока макс.: | 80A |
| Сопротивление открытого канала: | 6.5 мОм |
| Мощность макс.: | 300Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Temperature Protection |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 232нКл |
| Входная емкость: | 4800пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | BTS282ZE3180AATMA2 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
| Корпус: | PG-TO263-7 |
Описание
Компонент BTS282ZE3180AATMA2, Транзистор полевой N-канальный 49В 80A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 49В Ток стока макс.: 80A Сопротивление открытого канала: 6.5 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Temperature Protection
Производитель: Infineon Technologies. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.