IPB072N15N3G E8187, Полевой транзистор N-канальный 150В 100A TO263-3
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Наименование: | IPB072N15N3G E8187 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 |
| Нормоупаковка: | 1000 шт. |
Описание
IPB072N15N3G E8187, Полевой транзистор N-канальный 150В 100A TO263-3 - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Наименование: IPB072N15N3G E8187 Производитель: Infineon Technologies Описание Eng: MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 Нормоупаковка: 1000 шт.
Производитель: Infineon Technologies. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.