Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный STF11NM80 от компании ST Microelectronics. Этот высоковольтный транзистор обладает впечатляющими техническими характеристиками и широкими возможностями применения в электронных устройствах. Надежность, производительность и эффективность - вот ключевые преимущества данного компонента.

Транзистор STF11NM80 отличается максимальным напряжением сток-исток до 800 В, током стока до 11 А и сопротивлением открытого канала всего 0,35 Ом. Эти параметры делают его идеальным выбором для использования в высоковольтных, высокомощных схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи и другие устройства, требующие надежных и производительных ключевых элементов.

• Напряжение исток-сток макс.: 800В
• Ток стока макс.: 11A
• Сопротивление открытого канала: 400 мОм
• Мощность макс.: 35Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 5В
• Заряд затвора: 43.6нКл
• Входная емкость: 1630пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220F
• Вес брутто: 2.58 г

Транзистор STF11NM80 идеально подходит для использования в таких приложениях, как импульсные источники питания, инверторы, регуляторы мощности, коммутаторы, драйверы двигателей и другие устройства, где требуется высокое напряжение, большой ток и низкие потери. Его надежная конструкция и высокие технические характеристики обеспечивают стабильную и эффективную работу в самых сложных условиях эксплуатации.