PMXB360ENEAZ, Транзистор полевой N-канальный 80В 1.1A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN-D EP лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 80В |
| Ток стока макс.: | 1.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 450 мОм |
| Мощность макс.: | 400мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.7В |
| Заряд затвора: | 4.5нКл |
| Входная емкость: | 130пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | 3-DFN (1.1x1) |
| Наименование: | PMXB360ENEAZ |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 80V 1.1A Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R |
| Нормоупаковка: | 5000 шт. |
Описание
PMXB360ENEAZ, Транзистор полевой N-канальный 80В 1.1A Aвтомобильного применения 3-Pin DFN-D EP лента на катушке — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: NEXPERIA.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Наименование: PMXB360ENEAZ
- Напряжение исток-сток макс.: 80В
- Нормоупаковка: 5000 шт.
- Описание Eng: Trans MOSFET N-CH 80V 1.1A Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 2.7В
- Производитель: NEXPERIA
- Сопротивление открытого канала: 450 мОм