BST82,235, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190мА, 0.83Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 100В |
| Ток стока макс.: | 190мА |
| Сопротивление открытого канала: | 10 Ом |
| Мощность макс.: | 830мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Входная емкость: | 40пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23 (TO-236AB) |
| Наименование: | BST82,235 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23 |
| Нормоупаковка: | 10000 шт |
Описание
BST82,235, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190мА, 0.83Вт - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: NEXPERIA. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 100В Ток стока макс.: 190мА Сопротивление открытого канала: 10 Ом Мощность макс.: 830мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.