STY112N65M5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 710В 93А 0.022 Ом, 190Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 96A |
| Сопротивление открытого канала: | 22 мОм |
| Мощность макс.: | 625Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 350нКл |
| Входная емкость: | 16870пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Вес брутто: | 8.13 г. |
| Наименование: | STY112N65M5 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 30 шт |
| Корпус: | MAX247 |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор STY112N65M5 от известного производителя ST Microelectronics. Данная модель относится к категории одиночных MOSFET транзисторов и отличается высокими техническими характеристиками, что делает её востребованной в различных областях электроники.
Транзистор STY112N65M5 обладает максимальным напряжением сток-исток 650В, номинальным током стока до 96А и сопротивлением открытого канала всего 22 мОм. Эти параметры позволяют использовать данный компонент в мощных силовых схемах, работающих под высоким напряжением.
- Напряжение исток-сток макс.: 650В
- Ток стока макс.: 96A
- Сопротивление открытого канала: 22 мОм
- Мощность макс.: 625Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Заряд затвора: 350нКл
- Входная емкость: 16870пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Вес брутто: 8.13 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH Si 650V 96A 3-Pin(3+Tab) Max247 Tube
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Нормоупаковка: 30 шт
- Корпус: MAX247
Транзистор STY112N65M5 может применяться в различных силовых схемах, таких как импульсные источники питания, преобразователи напряжения, инверторы, сварочные аппараты и другие устройства, работающие под высоким напряжением. Благодаря своим характеристикам, данный компонент является отличным выбором для использования в энергоэффективных и надёжных электронных системах.