• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

STP65NF06, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 65А 0.015 Ом, 110Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ST Microelectronics
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:60В
Ток стока макс.:60A
Сопротивление открытого канала:14 мОм
Мощность макс.:110Вт
Тип транзистора:N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:75нКл
Входная емкость:1700пФ
Тип монтажа:Through Hole
Корпус:TO-220AB
Вес брутто:2.74 г.
Наименование:STP65NF06
Производитель:ST Microelectronics
Описание Eng:MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Тип упаковки:Tube (туба)
Нормоупаковка:50 шт

Описание

Представляем вашему вниманию мощный N-канальный полевой транзистор STP65NF06 от ведущего производителя ST Microelectronics. Этот высокопроизводительный компонент обладает впечатляющими характеристиками и широким спектром применения в различных электронных устройствах.

STP65NF06 - это транзистор с вертикальной структурой, который отличается низким сопротивлением открытого канала, высокой надежностью и эффективностью. Его ключевые технические параметры делают его идеальным выбором для использования в мощных коммутационных схемах, источниках питания, инверторах и других приложениях, требующих высокой производительности и надежности.

  • Напряжение исток-сток макс.: 60В
  • Ток стока макс.: 60A
  • Сопротивление открытого канала: 14 мОм
  • Мощность макс.: 110Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4В
  • Заряд затвора: 75нКл
  • Входная емкость: 1700пФ
  • Тип монтажа: Through Hole
  • Корпус: TO-220AB
  • Вес брутто: 2.74 г.

Транзистор STP65NF06 находит широкое применение в различных областях электроники, включая источники питания, инверторы, преобразователи, усилители мощности, и многие другие устройства, где требуются надежные компоненты с высокими характеристиками. Благодаря своим техническим параметрам, он является отличным выбором для использования в современных энергоэффективных и высокопроизводительных электронных системах.