Транзистор полевой MOSFET N-канальный STW26NM60N от компании ST Microelectronics – высокопроизводительный компонент, предназначенный для использования в широком спектре электронных устройств. Этот транзистор обладает впечатляющими характеристиками, которые делают его идеальным выбором для применения в различных областях электроники.

Основные преимущества данного транзистора включают в себя высокое напряжение сток-исток до 600В, значительный ток стока до 20А и максимальную мощность в 140Вт. Благодаря этим характеристикам, STW26NM60N может использоваться в мощных схемах, где требуется надежная и эффективная коммутация высоких напряжений и токов.

• Напряжение исток-сток макс.: 600В
• Ток стока макс.: 20A
• Сопротивление открытого канала: 165 мОм
• Мощность макс.: 140Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 60нКл
• Входная емкость: 1800пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-247
• Вес брутто: 6.66 г
• Описание Eng: N-MOS+D 600V, 20A, 140W
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 30 шт

Транзистор STW26NM60N от ST Microelectronics находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, а также в промышленном и бытовом оборудовании, где требуется коммутация высоких напряжений и токов. Благодаря своим выдающимся характеристикам, этот компонент является надежным и эффективным решением для инженеров, работающих над разработкой высокопроизводительных электронных устройств.