STB11NK40ZT4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 9А 110Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 400В |
| Ток стока макс.: | 9A |
| Сопротивление открытого канала: | 550 мОм |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 32нКл |
| Входная емкость: | 930пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2Pak (TO-263) |
| Вес брутто: | 2 г. |
| Наименование: | STB11NK40ZT4 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | N-Channel 400V - 0.49 Ohm - 9A - Zener-Protected |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1000 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор STB11NK40ZT4 от компании ST Microelectronics. Данная модель относится к категории одиночных MOSFET транзисторов и отличается надежностью, долговечностью и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.
Транзистор STB11NK40ZT4 обладает впечатляющими техническими характеристиками, которые делают его незаменимым компонентом в современной электронике. Его ключевые особенности представлены ниже:
- Напряжение исток-сток макс.: 400В
- Ток стока макс.: 9A
- Сопротивление открытого канала: 550 мОм
- Мощность макс.: 110Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Заряд затвора: 32нКл
- Входная емкость: 930пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: D2Pak (TO-263)
- Вес брутто: 2 г
- Описание Eng: N-Channel 400V - 0.49 Ohm - 9A - Zener-Protected
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 1000 шт
Благодаря своим характеристикам, транзистор STB11NK40ZT4 идеально подходит для использования в различных силовых электронных схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, а также в бытовой и промышленной электронике. Его высокая надежность и производительность делают его незаменимым компонентом при разработке современных электронных устройств.