• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

STN1HNK60, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 0.4А 3.3Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ST Microelectronics
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:600В
Ток стока макс.:400мА
Сопротивление открытого канала:8.5 Ом
Мощность макс.:3.3Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:3.7В
Заряд затвора:10нКл
Входная емкость:156пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:SOT-223
Вес брутто:0.25 г.
Наименование:STN1HNK60
Производитель:ST Microelectronics
Описание Eng:N-CHANNEL 600V 8 Ohm 0.4A
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:4000 шт

Описание

Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор N-канала STN1HNK60 от компании ST Microelectronics. Этот надёжный компонент обладает рядом ключевых характеристик, которые делают его незаменимым в различных электронных схемах и устройствах.

Транзистор STN1HNK60 отличается высоким рабочим напряжением до 600 В и максимальным током стока до 400 мА, что обеспечивает его широкое применение в силовой электронике, импульсных источниках питания, коммутирующих устройствах и других областях, где требуется высокая надёжность и производительность.

  • Напряжение исток-сток макс.: 600В
  • Ток стока макс.: 400мА
  • Сопротивление открытого канала: 8.5 Ом
  • Мощность макс.: 3.3Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 3.7В
  • Заряд затвора: 10нКл
  • Входная емкость: 156пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: SOT-223
  • Вес брутто: 0.25 г.
  • Описание Eng: N-CHANNEL 600V 8 Ohm 0.4A
  • Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка: 4000 шт

Транзистор STN1HNK60 идеально подходит для использования в различных силовых схемах, инверторах, коммутаторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других устройствах, где требуется высокая надёжность и производительность при работе с высокими напряжениями и токами. Благодаря своим характеристикам и особенностям, этот транзистор является отличным выбором для широкого спектра применений в современной электронике.