Транзистор полевой MOSFET N-канальный STP11NK50Z производства ST Microelectronics – это высокомощный компонент, предназначенный для использования в широком спектре электронных устройств и силовых схемах. Данная модель отличается надежностью, высокой эффективностью и удобством монтажа, что делает её востребованной среди инженеров и разработчиков.

Ключевые характеристики транзистора STP11NK50Z:

• Напряжение исток-сток макс.: 500В
• Ток стока макс.: 10A
• Сопротивление открытого канала: 520 мОм
• Мощность макс.: 125Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
• Заряд затвора: 68нКл
• Входная емкость: 1390пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220
• Вес брутто: 2.82 г

Транзистор STP11NK50Z от ST Microelectronics находит широкое применение в импульсных источниках питания, мощных усилителях, преобразователях напряжения и других высоковольтных и высокотоковых электронных схемах. Его надежность и высокая производительность делают его незаменимым компонентом для инженеров, стремящихся к повышению эффективности и надежности своих разработок.