Представляем вашему вниманию высокопроизводительный полевой транзистор STP120NF10 от компании ST Microelectronics. Этот мощный N-канальный MOSFET транзистор отличается впечатляющими характеристиками и широким спектром применения в современной электронике.

Ключевые характеристики транзистора STP120NF10:

• Напряжение исток-сток макс.: 100В
• Ток стока макс.: 110A
• Сопротивление открытого канала: 10.5 мОм
• Мощность макс.: 312Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 233нКл
• Входная емкость: 5200пФ
• Тип монтажа: Through Hole
• Корпус: TO-220
• Вес брутто: 2.8 г
• Описание Eng: N-MOS 100V, 110A, 300W
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 50 шт

Транзистор STP120NF10 находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы, преобразователи, электродвигатели, промышленное оборудование и многое другое. Его высокие показатели по напряжению, току и мощности делают его идеальным выбором для проектирования мощных и эффективных устройств. Благодаря надежной конструкции в корпусе TO-220, STP120NF10 обеспечивает долговечность и стабильность работы в самых требовательных условиях эксплуатации.