BUK7E3R5-60E,127, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A I2PAK
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 120A(Tc) |
| Сопротивление открытого канала: | 3.5 мОм @ 25А, 10В |
| Мощность макс.: | 293Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В @ 1mA |
| Заряд затвора: | 114нКл @ 10В |
| Входная емкость: | 8920пФ @ 25В |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | I2PAK |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | BUK7E3R5-60E,127 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
BUK7E3R5-60E,127, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 120A I2PAK - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: NEXPERIA. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 120A(Tc) Сопротивление открытого канала: 3.5 мОм @ 25А, 10В Мощность макс.: 293Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.