BSC600N25NS3GATMA1DKR-ND, Транзистор MOSFET одиночный - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.

Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.

Основные параметры:

• Напряжение исток-сток макс.: 250В Ток стока макс.: 25А Сопротивление открытого канала: 60мОм Мощность макс.: 125Вт Тип транзистора: P-канальный Тип монтажа: Surface Mount

Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.