FQB12P20TM, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 200В |
| Ток стока макс.: | 11.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 470 мОм |
| Мощность макс.: | 3.13Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 40нКл |
| Входная емкость: | 1200пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | TO-263-3 |
| Вес брутто: | 1.6 г. |
| Наименование: | FQB12P20TM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 200V 11.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт |
Описание
FQB12P20TM, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 11.5A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 200В Ток стока макс.: 11.5A Сопротивление открытого канала: 470 мОм Мощность макс.: 3.13Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.