STL8N80K5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 4.5А 0.95 Ом
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 4.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 950 мОм |
| Мощность макс.: | 42Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 16.5нКл |
| Входная емкость: | 450пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.4 г. |
| Наименование: | STL8N80K5 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-ch 800V 4.5A 0.95 OHM |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
| Корпус: | PowerFLAT 5x6 |
Описание
Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор MOSFET N-канальный STL8N80K5 от ведущего производителя ST Microelectronics. Этот надёжный компонент отличается высокой эффективностью, превосходными эксплуатационными характеристиками и широким спектром применений в современной электронике.
Транзистор STL8N80K5 обладает максимальным напряжением сток-исток 800 В, максимальным током стока 4.5 А и сопротивлением открытого канала всего 0.95 Ом. Благодаря этим параметрам он идеально подходит для использования в высоковольтных и высокомощных схемах, обеспечивая стабильную и эффективную работу устройств.
- Напряжение исток-сток макс.: 800В
- Ток стока макс.: 4.5A
- Сопротивление открытого канала: 950 мОм
- Мощность макс.: 42Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 5В
- Заряд затвора: 16.5нКл
- Входная емкость: 450пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Вес брутто: 0.4 г.
- Описание Eng: MOSFET N-ch 800V 4.5A 0.95 OHM
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 3000 шт
- Корпус: PowerFLAT 5x6
Транзистор STL8N80K5 находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, сварочное оборудование, промышленную автоматику и многое другое. Его высокая надёжность и эффективность делают его незаменимым компонентом для разработчиков, стремящихся создавать передовые электронные устройства.