SI2303CDS-T1-GE3, Транзистор полевой P-канальный 30В 2.7A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 2.7A |
| Сопротивление открытого канала: | 190 мОм |
| Мощность макс.: | 2.3Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 8нКл |
| Входная емкость: | 155пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Наименование: | SI2303CDS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
SI2303CDS-T1-GE3, Транзистор полевой P-канальный 30В 2.7A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 2.7A Сопротивление открытого канала: 190 мОм Мощность макс.: 2.3Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3В
Производитель: Vishay. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.