• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

BSP250,115, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 3A

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:NEXPERIA
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:30В
Ток стока макс.:3A
Сопротивление открытого канала:250 мОм
Мощность макс.:1.65Вт
Тип транзистора:P-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:2.8В
Заряд затвора:25нКл
Входная емкость:250пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:SOT-223
Вес брутто:0.18 г.
Наименование:BSP250,115
Производитель:NEXPERIA
Описание Eng:MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:1000 шт

Описание

Представляем вашему вниманию транзистор MOSFET P-канальный BSP250,115 от компании NEXPERIA. Этот высококачественный компонент предназначен для использования в широком спектре электронных устройств, требующих надежной и эффективной коммутации цепей питания.

Транзистор BSP250,115 отличается высокой производительностью и долговечностью, обеспечивая максимальное напряжение исток-сток до 30В и ток стока до 3А. Его сопротивление открытого канала составляет всего 250 мОм, что позволяет минимизировать потери мощности и тепловыделение при работе устройства.

  • Напряжение исток-сток макс.: 30В
  • Ток стока макс.: 3A
  • Сопротивление открытого канала: 250 мОм
  • Мощность макс.: 1.65Вт
  • Тип транзистора: P-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 2.8В
  • Заряд затвора: 25нКл
  • Входная емкость: 250пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: SOT-223
  • Вес брутто: 0.18 г

Транзистор BSP250,115 идеально подходит для применения в различных электронных устройствах, таких как источники питания, регуляторы напряжения, усилители мощности, коммутаторы, и многие другие. Его высокая производительность и надежность делают его незаменимым компонентом для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать эффективные и надежные электронные системы.