IRFB9N65APBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 167Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 650В |
| Ток стока макс.: | 8.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 930 мОм |
| Мощность макс.: | 167Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 48нКл |
| Входная емкость: | 1417пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220AB |
| Вес брутто: | 2.67 г. |
| Наименование: | IRFB9N65APBF |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB, 167W |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
IRFB9N65APBF, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5А 167Вт - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 650В Ток стока макс.: 8.5A Сопротивление открытого канала: 930 мОм Мощность макс.: 167Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 4В
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.