FDD6N50TM-WS, Транзистор полевой N-канальный 500В 6A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 6A |
| Сопротивление открытого канала: | 900 мОм |
| Мощность макс.: | 89Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 16.6нКл |
| Входная емкость: | 9400пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK/TO-252AA |
| Наименование: | FDD6N50TM-WS |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 500V 6A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт. |
Описание
FDD6N50TM-WS, Транзистор полевой N-канальный 500В 6A - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 500В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 89Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.