DMN3016LFDE-13, Транзистор полевой N-канальный 30В 10A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 10A |
| Сопротивление открытого канала: | 12 мОм |
| Мощность макс.: | 730мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 25.1нКл |
| Входная емкость: | 1415пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | DMN3016LFDE-13 |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R |
| Нормоупаковка: | 10000 шт. |
| Корпус: | uDFN6 |
Описание
DMN3016LFDE-13, Транзистор полевой N-канальный 30В 10A Aвтомобильного применения 6-Pin UDFN EP лента на катушке - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Diodes Incorporated. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 12 мОм Мощность макс.: 730мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.