SI1308EDL-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.4A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 1.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 132 мОм |
| Мощность макс.: | 500мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.5В |
| Заряд затвора: | 4.1нКл |
| Входная емкость: | 105пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-323 |
| Вес брутто: | 0.03 г. |
| Наименование: | SI1308EDL-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 1.4A SC-70-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
SI1308EDL-T1-GE3, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 1.4A - высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для использования в современных электронных устройствах и систем.
Производитель: Vishay. Компонент отличается надёжностью и точностью параметров, что делает его идеальным выбором для профессиональных приложений.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 1.4A Сопротивление открытого канала: 132 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Применение: Используется в промышленных устройствах, системах управления, измерительном оборудовании и прочих высокотехнологичных приложениях.
Товар поставляется в оригинальной упаковке производителя, что гарантирует его качество и сохранность при доставке.