IPB60R165CPATMA1, Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 21 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 21A |
| Сопротивление открытого канала: | 165 мОм |
| Мощность макс.: | 192Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3.5В |
| Заряд затвора: | 52нКл |
| Входная емкость: | 2000пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Наименование: | IPB60R165CPATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 1 шт. |
Описание
IPB60R165CPATMA1, Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 21 А - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 600В Ток стока макс.: 21A Сопротивление открытого канала: 165 мОм Мощность макс.: 192Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 3.5В
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.