FDME820NZT, Транзистор MOSFET одиночный
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 20В |
| Ток стока макс.: | 9A(Ta) |
| Сопротивление открытого канала: | 18 мОм @ 9А, 4.5В |
| Мощность макс.: | 700мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В @ 250 µA |
| Заряд затвора: | 8.5нКл @ 4.5В |
| Входная емкость: | 865пФ @ 10В |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | FDME820NZT |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6 |
| Нормоупаковка: | 5000 шт. |
| Корпус: | MicroFET6(1.6x1.6) |
Описание
Компонент FDME820NZT, Транзистор MOSFET одиночный - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 20В Ток стока макс.: 9A(Ta) Сопротивление открытого канала: 18 мОм @ 9А, 4.5В Мощность макс.: 700мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.