Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный PHD9NQ20T,118 производства NEXPERIA. Этот высокопроизводительный компонент обладает отличными характеристиками и широкими возможностями применения в современной электронике.

Транзистор PHD9NQ20T,118 отличается высоким напряжением стока до 200 В, а также максимальным током стока до 8,7 А, что делает его идеальным решением для использования в мощных схемах управления и коммутации. Благодаря низкому сопротивлению открытого канала в 400 мОм, этот компонент обеспечивает эффективную передачу электрической энергии, снижая потери и повышая общую производительность системы.

• Напряжение исток-сток макс.: 200В
• Ток стока макс.: 8.7A
• Сопротивление открытого канала: 400 мОм
• Мощность макс.: 88Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 24нКл
• Входная емкость: 959пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: DPAK
• Вес брутто: 0.6 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 2500 шт

Транзистор PHD9NQ20T,118 находит широкое применение в различных областях электроники, включая импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, устройства управления двигателями и другие мощные электронные системы. Благодаря своим выдающимся характеристикам, он является надежным и эффективным решением для инженеров, разрабатывающих современные электронные устройства.