Представляем вашему вниманию высококачественный полевой транзистор STB14NM50N от ведущего производителя ST Microelectronics. Этот N-канальный MOSFET транзистор отличается впечатляющими характеристиками и широкими возможностями применения в различных электронных устройствах.

Основные характеристики транзистора STB14NM50N:

• Напряжение исток-сток макс.: 500В
• Ток стока макс.: 12A
• Сопротивление открытого канала: 320 мОм
• Мощность макс.: 90Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 27нКл
• Входная емкость: 816пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: D2Pak (TO-263)
• Вес брутто: 2.11 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
• Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
• Нормоупаковка: 1000 шт

Транзистор STB14NM50N от ST Microelectronics идеально подходит для использования в высоковольтных и высокомощных электронных схемах, таких как импульсные источники питания, инверторы, регуляторы напряжения, системы управления двигателями и другие приложения, требующие надежных и эффективных полупроводниковых компонентов. Благодаря своим выдающимся характеристикам и качеству исполнения, этот транзистор является отличным выбором для широкого спектра электронных разработок.