• Воронеж, Московский проспект, 114В, оф. 408

STB55NF06LT4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 55А 95Вт

Нет изображения
Категория:Одиночные MOSFET транзисторы
Производитель:ST Microelectronics
Наличие:В наличии
Напряжение исток-сток макс.:60В
Ток стока макс.:55A
Сопротивление открытого канала:18 мОм
Мощность макс.:95Вт
Тип транзистора:N-канал
Особенности:Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:4.7В
Заряд затвора:37нКл
Входная емкость:1700пФ
Тип монтажа:Surface Mount
Корпус:D2Pak (TO-263)
Вес брутто:1.2 г.
Наименование:STB55NF06LT4
Производитель:ST Microelectronics
Описание Eng:MOSFET N-CH 60V 55A D2PAK
Тип упаковки:Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:1000 шт

Описание

Представляем вашему вниманию мощный полевой транзистор STB55NF06LT4 от известного производителя электронных компонентов ST Microelectronics. Этот N-канальный MOSFET-транзистор обладает высокими характеристиками и широким спектром применения в современной электронике.

Транзистор STB55NF06LT4 отличается высоким напряжением сток-исток до 60В, максимальным током стока до 55А и малым сопротивлением открытого канала всего 18 мОм. Благодаря этим параметрам, данный компонент идеально подходит для использования в мощных импульсных источниках питания, регуляторах напряжения, инверторах и других устройствах, требующих коммутации больших токов и напряжений.

  • Напряжение исток-сток макс.: 60В
  • Ток стока макс.: 55A
  • Сопротивление открытого канала: 18 мОм
  • Мощность макс.: 95Вт
  • Тип транзистора: N-канал
  • Особенности: Logic Level Gate
  • Пороговое напряжение включения макс.: 4.7В
  • Заряд затвора: 37нКл
  • Входная емкость: 1700пФ
  • Тип монтажа: Surface Mount
  • Корпус: D2Pak (TO-263)
  • Вес брутто: 1.2 г

Транзистор STB55NF06LT4 находит широкое применение в различных областях электроники: от источников питания и преобразователей энергии до бытовой техники и промышленного оборудования. Его высокая производительность, компактный корпус и простота монтажа делают его отличным выбором для инженеров, стремящихся оптимизировать свои разработки.