STD3NK60ZT4, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2.4А 45Вт
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 600В |
| Ток стока макс.: | 2.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 3.6 Ом |
| Мощность макс.: | 45Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4.5В |
| Заряд затвора: | 11.8нКл |
| Входная емкость: | 311пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | DPAK |
| Вес брутто: | 0.59 г. |
| Наименование: | STD3NK60ZT4 |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 2500 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию полевой транзистор MOSFET N-канальный STD3NK60ZT4 от компании ST Microelectronics. Этот высокопроизводительный компонент отличается надежностью, высокой эффективностью и широким диапазоном рабочих параметров, что делает его отличным выбором для использования в различных электронных устройствах.
Транзистор STD3NK60ZT4 обладает ключевыми характеристиками, которые делают его универсальным решением для множества применений в силовой электронике, преобразовательной технике и других областях.
- Напряжение исток-сток макс.: 600В
- Ток стока макс.: 2.4A
- Сопротивление открытого канала: 3.6 Ом
- Мощность макс.: 45Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4.5В
- Заряд затвора: 11.8нКл
- Входная емкость: 311пФ
- Тип монтажа: Surface Mount
- Корпус: DPAK
- Вес брутто: 0.59 г
- Описание Eng: MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Нормоупаковка: 2500 шт
Транзистор STD3NK60ZT4 идеально подходит для использования в широком спектре электронных устройств, включая импульсные источники питания, инверторы, преобразователи напряжения, а также в различных промышленных и бытовых приложениях, где требуется надежный и эффективный коммутационный элемент. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор является отличным выбором для инженеров и разработчиков, стремящихся создавать высококачественные и энергоэффективные электронные системы.