Представляем вашему вниманию полевой MOSFET-транзистор STD7NM60N от компании ST Microelectronics. Этот мощный N-канальный транзистор с напряжением сток-исток до 600В и током стока до 5А станет надежным компонентом в ваших электронных устройствах. Благодаря своим выдающимся характеристикам, он подходит для широкого спектра применений, включая импульсные источники питания, инверторы, преобразователи и другие высоковольтные схемы.

Основные характеристики транзистора STD7NM60N:

• Напряжение исток-сток макс.: 600В
• Ток стока макс.: 5A
• Сопротивление открытого канала: 900 мОм
• Мощность макс.: 45Вт
• Тип транзистора: N-канал
• Пороговое напряжение включения макс.: 4В
• Заряд затвора: 14нКл
• Входная емкость: 363пФ
• Тип монтажа: Surface Mount
• Корпус: DPAK
• Вес брутто: 0.54 г
• Описание Eng: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
• Тип упаковки: Tube (туба)
• Нормоупаковка: 75 шт

Транзистор STD7NM60N идеально подходит для использования в импульсных источниках питания, инверторах, преобразователях постоянного тока, системах управления двигателями и других высоковольтных схемах, где требуются надежные и эффективные полупроводниковые компоненты. Благодаря своим характеристикам, этот транзистор обеспечивает высокую производительность и надежность в самых ответственных применениях.