STF28NM50N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 21A
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 500В |
| Ток стока макс.: | 21A |
| Сопротивление открытого канала: | 158 мОм |
| Мощность макс.: | 35Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 4В |
| Заряд затвора: | 50нКл |
| Входная емкость: | 1735пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220FP |
| Вес брутто: | 2.68 г. |
| Наименование: | STF28NM50N |
| Производитель: | ST Microelectronics |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 500V 21A TO-220FP |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Представляем вашему вниманию мощный полевой N-канальный MOSFET-транзистор STF28NM50N от компании ST Microelectronics. Этот надежный компонент обладает высокими рабочими характеристиками и предназначен для использования в широком спектре электронных устройств и силовых схем.
Ключевые характеристики данного транзистора включают в себя максимальное напряжение сток-исток 500В, максимальный ток стока 21А и низкое сопротивление открытого канала 158 мОм. Эти параметры делают STF28NM50N идеальным выбором для применения в мощных импульсных источниках питания, инверторах, регуляторах напряжения и других высокопроизводительных электронных схемах.
- Напряжение исток-сток макс.: 500В
- Ток стока макс.: 21A
- Сопротивление открытого канала: 158 мОм
- Мощность макс.: 35Вт
- Тип транзистора: N-канал
- Пороговое напряжение включения макс.: 4В
- Заряд затвора: 50нКл
- Входная емкость: 1735пФ
- Тип монтажа: Through Hole
- Корпус: TO-220FP
- Вес брутто: 2.68 г
Благодаря своим характеристикам, транзистор STF28NM50N находит широкое применение в различных областях электроники, таких как импульсные источники питания, инверторы для солнечных батарей, регуляторы напряжения, а также в промышленных и бытовых электрических устройствах, требующих надежных и высокопроизводительных силовых ключей.