2N7002TA, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 115мА |
| Сопротивление открытого канала: | 7.5 Ом |
| Мощность макс.: | 330мВт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Входная емкость: | 50пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Вес брутто: | 0.05 г. |
| Наименование: | 2N7002TA |
| Производитель: | Diodes Incorporated |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
2N7002TA, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мА - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 60В Ток стока макс.: 115мА Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом Мощность макс.: 330мВт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 2.5В
Производитель: Diodes Incorporated. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.