SI5468DC-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 6A |
| Сопротивление открытого канала: | 28 мОм |
| Мощность макс.: | 5.7Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 12нКл |
| Входная емкость: | 435пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | SI5468DC-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
| Корпус: | ChipFET8 |
Описание
SI5468DC-T1-GE3, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 6 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 5.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.