BSH202,215, Транзистор полевой P-канальный 30В 520мА
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | NEXPERIA |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 520мА |
| Сопротивление открытого канала: | 900 мОм |
| Мощность макс.: | 417мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1.9В |
| Заряд затвора: | 2.9нКл |
| Входная емкость: | 80пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT23-3 |
| Вес брутто: | 0.05 г. |
| Наименование: | BSH202,215 |
| Производитель: | NEXPERIA |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 30V 520MA SOT23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт. |
Описание
Компонент BSH202,215, Транзистор полевой P-канальный 30В 520мА - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 520мА Сопротивление открытого канала: 900 мОм Мощность макс.: 417мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: NEXPERIA. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.