BSZ088N03MSGATMA1, Полевой транзистор N-канальный 30В 11A 8-Pin TSDSON EP
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 11A |
| Сопротивление открытого канала: | 8 мОм |
| Мощность макс.: | 35Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2В |
| Заряд затвора: | 27нКл |
| Входная емкость: | 2100пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | BSZ088N03MSGATMA1 |
| Производитель: | Infineon Technologies |
| Описание Eng: | Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin TSDSON EP |
| Нормоупаковка: | 5000 шт. |
| Корпус: | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
Описание
BSZ088N03MSGATMA1, Полевой транзистор N-канальный 30В 11A 8-Pin TSDSON EP - качественный компонент с точными параметрами и надёжной конструкцией.
Производитель: Infineon Technologies. Этот компонент соответствует международным стандартам качества и прошёл все необходимые испытания.
Основные параметры:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 8 мОм Мощность макс.: 35Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Область применения: Компонент используется в электронных системах, требующих высокой надёжности и стабильной работы в различных условиях окружающей среды.