FDS4435, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт (рекомендуемая замена: FDS4435BZ)
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 8.8A |
| Сопротивление открытого канала: | 20 мОм |
| Мощность макс.: | 1Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 3В |
| Заряд затвора: | 24нКл |
| Входная емкость: | 1604пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Вес брутто: | 0.25 г. |
| Наименование: | FDS4435 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | Field-effect transistor, P-channel, 30 V, 8.8 A, 2.5 W (Recommended replacement: FDS4435BZ) |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 500 шт |
| Корпус: | SO-8 |
Описание
FDS4435, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 8.8А 2.5Вт (рекомендуемая замена: FDS4435BZ) - надёжный электронный компонент, который широко используется в различных областях электроники.
Технические характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 8.8A Сопротивление открытого канала: 20 мОм Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Компонент имеет стабильные характеристики и хорошую тепловую проводимость, что обеспечивает его долговечность.
Назначение: Идеально подходит для использования в телекоммуникационном оборудовании, автомобильной электронике и системах автоматизации.