FQB50N06LTM, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 52.4 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 60В |
| Ток стока макс.: | 52.4A |
| Сопротивление открытого канала: | 21 мОм |
| Мощность макс.: | 3.75Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 32нКл |
| Входная емкость: | 1630пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | D2PAK/TO263 |
| Наименование: | FQB50N06LTM |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 60V 52.4A D2PAK |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 800 шт. |
Описание
FQB50N06LTM, Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 52.4 А — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 21 мОм
- Тип монтажа: Surface Mount
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tape and Reel (лента в катушке)
- Ток стока макс.: 52.4A
- Входная емкость: 1630пФ
- Заряд затвора: 32нКл