FQA13N80_F109, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 12.6A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 12.6A |
| Сопротивление открытого канала: | 750 мОм |
| Мощность макс.: | 300Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 88нКл |
| Входная емкость: | 3500пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-3P(N) |
| Вес брутто: | 7.66 г. |
| Наименование: | FQA13N80_F109 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 450 шт |
Описание
Компонент FQA13N80_F109, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 12.6A - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 12.6A Сопротивление открытого канала: 750 мОм Мощность макс.: 300Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.