FQT1N80TF_WS, Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 0.2 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 200мА |
| Сопротивление открытого канала: | 20 Ом |
| Мощность макс.: | 2.1Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 7.2нКл |
| Входная емкость: | 195пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Наименование: | FQT1N80TF_WS |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 4000 шт. |
| Корпус: | SOT-223 |
Описание
FQT1N80TF_WS, Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 0.2 А - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 800В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 20 Ом Мощность макс.: 2.1Вт Тип транзистора: N-канал Пороговое напряжение включения макс.: 5В
Производитель: ON Semiconductor. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.