FDP8874, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 114 А
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 30В |
| Ток стока макс.: | 16A |
| Сопротивление открытого канала: | 5.3 мОм |
| Мощность макс.: | 110Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 2.5В |
| Заряд затвора: | 72нКл |
| Входная емкость: | 3130пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 3.5 г. |
| Наименование: | FDP8874 |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 30V 114A TO-220AB |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт. |
Описание
Компонент FDP8874, Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 114 А - это современное решение для электронных приложений с высокими требованиями к качеству.
Ключевые характеристики:
- Напряжение исток-сток макс.: 30В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 5.3 мОм Мощность макс.: 110Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate
Производитель: ON Semiconductor. Благодаря проверенной конструкции и оптимальным параметрам, этот компонент обеспечивает надёжную работу в течение длительного времени.
Рекомендуется для: Систем управления энергией, промышленного оборудования, приборов измерения и контроля.