SI2333CDS-T1-GE3, Транзистор полевой P-канальный 12В 7.1A
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 12В |
| Ток стока макс.: | 7.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 35 мОм |
| Мощность макс.: | 2.5Вт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 25нКл |
| Входная емкость: | 1225пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Наименование: | SI2333CDS-T1-GE3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23 |
| Тип упаковки: | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
SI2333CDS-T1-GE3, Транзистор полевой P-канальный 12В 7.1A - проверенный и надёжный электронный компонент для профессионального применения.
Спецификация:
- Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 7.1A Сопротивление открытого канала: 35 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: 1В
Производитель: Vishay. Компонент отвечает всем требованиям стандартов качества и может использоваться как в новых разработках, так и при замене вышедших из строя элементов.
Применение: Широко используется в электропитании, сигнальных цепях, системах управления и защиты электрических устройств.