FQP6N80C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.5А 2.5 Ом, 158Вт
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 800В |
| Ток стока макс.: | 5.5A |
| Сопротивление открытого канала: | 2.5 Ом |
| Мощность макс.: | 158Вт |
| Тип транзистора: | N-канал |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 5В |
| Заряд затвора: | 30нКл |
| Входная емкость: | 1310пФ |
| Тип монтажа: | Through Hole |
| Корпус: | TO-220 |
| Вес брутто: | 2.84 г. |
| Наименование: | FQP6N80C |
| Производитель: | ON Semiconductor |
| Описание Eng: | MOSFET N-CH 800V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
| Тип упаковки: | Tube (туба) |
| Нормоупаковка: | 50 шт |
Описание
Техническое описание: FQP6N80C, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.5А 2.5 Ом, 158Вт. Категория: электронные компоненты. Производитель: ON Semiconductor.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Производитель: ON Semiconductor
- Сопротивление открытого канала: 2.5 Ом
- Тип монтажа: Through Hole
- Тип транзистора: N-канал
- Тип упаковки: Tube (туба)
- Ток стока макс.: 5.5A
- Вес брутто: 2.84 г.
- Входная емкость: 1310пФ