SI2333DS-T1-E3, Транзистор полевой P-канальный 12В 4.1A SOT23-3
Нет изображения
| Категория: | Одиночные MOSFET транзисторы |
|---|---|
| Производитель: | Vishay |
| Наличие: | В наличии |
| Напряжение исток-сток макс.: | 12В |
| Ток стока макс.: | 4.1A |
| Сопротивление открытого канала: | 32 мОм |
| Мощность макс.: | 750мВт |
| Тип транзистора: | P-канал |
| Особенности: | Logic Level Gate |
| Пороговое напряжение включения макс.: | 1В |
| Заряд затвора: | 18нКл |
| Входная емкость: | 1100пФ |
| Тип монтажа: | Surface Mount |
| Корпус: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Наименование: | SI2333DS-T1-E3 |
| Производитель: | Vishay |
| Описание Eng: | MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 |
| Нормоупаковка: | 3000 шт |
Описание
SI2333DS-T1-E3, Транзистор полевой P-канальный 12В 4.1A SOT23-3 — электронный компонент категории электронные компоненты. Производитель: Vishay.
Назначение: компонент категории электронные компоненты для использования в электронных узлах и схемах.
Ключевые параметры:
- Наименование: SI2333DS-T1-E3
- Напряжение исток-сток макс.: 12В
- Нормоупаковка: 3000 шт
- Описание Eng: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
- Особенности: Logic Level Gate
- Пороговое напряжение включения макс.: 1В
- Производитель: Vishay
- Сопротивление открытого канала: 32 мОм